特許
J-GLOBAL ID：201503013181347013
低オーム性コンタクト抵抗を有する窒化ガリウムデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小野 新次郎
, 小林 泰
, 竹内 茂雄
, 山本 修
, 夫馬 直樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-521619
公開番号（公開出願番号）：特表2015-523733
出願日： 2013年06月05日
公開日（公表日）： 2015年08月13日
要約：
メサ構造を有している半導体構造体は、下の半導体層と、上の半導体層の間に二次元電子ガス(2DEG)領域を形成するために下の半導体層と直接接触し、より高いバンド・ギャップを有している上の半導体層と、を有する。2DEG領域は、メサの側壁で終わっている外縁部を有する。付加的な電子ドナー層は、メサ構造の側壁部分に、そして、メサの側壁で終わっている2DEG領域の部位に配置されている下の層のバンド・ギャップより高いバンド・ギャップを有する。オーム性のコンタクト材料は、電子ドナー層に配置されている。横のHEMTは、下の半導体層と電子ドナー層の間にコンタクトに沿って電子(すなわち、オーム性のコンタクト抵抗を下げる)の電子ドナー層、2DEG領域およびオーム性のコンタクト材料濃度を増加させるように形成される。
請求項（抜粋）：
基板と、
基板に配置されたメサ構造であって、該メサ構造が、
下の半導体層と、
上の半導体層と、メサの側壁で終わっている外縁部を有している二次元電子ガス領域との間に二次元電子ガス領域を形成するために、下の半導体層と直接接触し、下の半導体層とは異なるバンド・ギャップを有する上の半導体層と、を有することを特徴とする、メサ構造と、
メサ構造の側壁部分に、および、メサの側壁で終わっている二次元電子ガス領域の領域に配置された電子ドナー層と、
電子ドナー層に配置されたオーム性のコンタクト材料と、
を有することを特徴とする半導体構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102HC02
