窒化物化合物半導体素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-067909
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227432
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】酸化膜或いは絶縁膜が部分的に薄くなることによる耐圧の劣化や、その厚さが過剰になることによる直流利得gmの低下を防ぐことができる高性能な窒化物化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】ソース電極,ドレイン電極とそれぞれオーミック接触するn+コンタクト領域8,9、および電界集中の緩和を目的としたリサーフ層(リサーフ領域)と呼ばれるn-領域10を、それぞれ選択成長法によって形成する。選択成長法によるn+コンタクト領域8,9およびn-領域10の形成後に、選択成長によってn+コンタクト領域8,9およびn-領域10にそれぞれ生じた凸部8a,9aおよび10aを化学機械研磨(CMP)法により平坦する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化物化合物半導体をエピタキシャル層の材料として用いた窒化物化合物半導体素子の製造方法において、前記エピタキシャル層に、ソース電極およびドレイン電極とそれぞれオーミック接触する第1のコンタクト領域および第2のコンタクト領域をそれぞれ選択成長法によって形成し、選択成長法による前記第1および第2のコンタクト領域の形成後に、選択成長によって前記第1および第2のコンタクト領域にそれぞれ生じた凸部を化学機械研磨法により平坦化する、ことを特徴とする窒化物化合物半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 301B , H01L29/80 H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 618E , H01L29/78 616L

Fターム (69件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GM04 , 5F102GM05 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102HB08 , 5F102HC00 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F110AA12 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK34 , 5F110HM07 , 5F110HM15 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA25 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BC05 , 5F140BC12 , 5F140BD06 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BH15 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ18 , 5F140BK09 , 5F140BK12 , 5F140BK18 , 5F140BK23 , 5F140BK26 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (8件)

GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327632 出願人：古河電気工業株式会社
半導体装置の製造方法および光導波路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-393318 出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-069190 出願人：株式会社デンソー

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