特許
J-GLOBAL ID：200903047012589311

半導体装置

発明者：
上野 弘明

上野 弘明 について

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柳原 学

柳原 学 について

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上本 康裕

上本 康裕 について

, 
田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160206
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329350
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】コンタクト抵抗が小さいオーミック電極を備えたIII-V族窒化物半導体を用いた半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、基板11の上に順次形成された、第1のIII-V族窒化物半導体層12及び第1のIII-V族窒化物半導体12と比べてバンドギャップが大きい第2のIII-V族窒化物半導体層13と、オーミック電極14とを備えている。オーミック電極14は、下部が第2のIII-V族窒化物半導体層13を貫通し且つ第1のIII-V族窒化物半導体層12における2次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。第1のIII-V族窒化物半導体層12及び第2のIII-V族窒化物半導体層13におけるオーミック電極14と接する部分には、不純物ドープ層18が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成され、2次元電子ガス層を有する第1のIII-V族窒化物半導体層と、 前記第1のIII-V族窒化物半導体層の上に形成され、前記第1のIII-V族窒化物半導体と比べてバンドギャップが大きい第2のIII-V族窒化物半導体層と、 下部が前記第2のIII-V族窒化物半導体層を貫通して形成され、前記第1のIII-V族窒化物半導体層における前記2次元電子ガス層よりも下側の領域に達するオーミック電極と、 前記第1のIII-V族窒化物半導体層及び第2のIII-V族窒化物半導体層における前記オーミック電極と接する部分に、導電性を有する不純物が導入されて形成された不純物ドープ層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 H
Fターム (25件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GV08 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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