特許
J-GLOBAL ID：201503014291429640
イジング型相互作用発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-040175
公開番号（公開出願番号）：特開2015-165623
出願日： 2014年03月03日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：
【課題】量子ビットの寿命を短くすることなく、イジング型の相互作用が発生できるようにする。【解決手段】ジョセフソン接合を備えて形成された第1超伝導リング101と、ジョセフソン接合を備えて形成された第2超伝導リング102とを結合するキャパシタ103を備える。第1超伝導リング101と第2超伝導リング102とはキャパシタ103を介して接続される。このイジング型相互作用発生装置は、第1超伝導リング101による第1量子ビットと第2超伝導リング102による第2量子ビットとの間に、イジング型相互作用を生成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ジョセフソン接合を備えた第1超伝導リングと、ジョセフソン接合を備えた第2超伝導リングとを結合するキャパシタを備え、
前記第1超伝導リングと前記第2超伝導リングとは前記キャパシタを介して接続され、
前記第1超伝導リングによる第1量子ビットと前記第2超伝導リングによる第2量子ビットとの間にイジング型相互作用を生成することを特徴とするイジング型相互作用発生装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H03K19/195
, H01L39/22 C
, H01L39/22 K
4M113AA00
, 4M113AC09
, 4M113AC45
, 5J042AA01
