特許
J-GLOBAL ID：201503015215169821
酸素不含ケイ素系膜及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 木村 健治
, 関根 宣夫
, 胡田 尚則
, 出野 知
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-157982
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027285
特許番号：特許第5788932号
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基材の少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2-3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、
窒素含有前駆体であって、該窒素含有前駆体の量/少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体の量の比が0.25〜1の範囲にある窒素含有前駆体を提供すること、及び、
プラズマ強化化学蒸着(PECVD)を含む堆積法により前記少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
ここで、前記酸素不含ケイ素系膜はX線光電子分光法(XPS)により測定して51〜99原子質量%のケイ素を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
, C23C 16/42
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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