半導体基板、並びにエピタキシャルウエハ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：平田忠雄 , 岩永勇二 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-097751
公開番号（公開出願番号）：特開2015-214448
出願日： 2014年05月09日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：

【課題】HVPE法によりβ-Ga2O3単結晶からなるエピタキシャル層を高い成長レートで成長させることができるβ-Ga2O3単結晶からなる半導体基板、その半導体基板とエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエハ、及びそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態として、HVPE法によるエピタキシャル結晶成長用の下地基板として用いられる半導体基板であって、β-Ga2O3系単結晶からなり、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする、半導体基板11を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

HVPE法によるエピタキシャル結晶成長用の下地基板として用いられる半導体基板であって、 β-Ga2O3系単結晶からなり、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする、半導体基板。

IPC (5件)：

C30B 29/16 , C30B 25/20 , C23C 16/40 , H01L 21/205 , H01L 21/365

FI (5件)：

C30B29/16 , C30B25/20 , C23C16/40 , H01L21/205 , H01L21/365

Fターム (37件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EH09 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TB04 , 4G077TC10 , 4G077TJ02 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA03 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA12 , 5F045AA01 , 5F045AB40 , 5F045AC00 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD13 , 5F045AE29 , 5F045AF01 , 5F045AF13 , 5F045CA06 , 5F045DQ08

引用特許：

出願人引用 (4件)

周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、および、当該製造方法によって得られた周期表第13族金属窒化物半導体結晶を用いた半導体発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-061527 出願人：三菱化学株式会社
周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、それに用いるノズルおよび製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-276044 出願人：三菱化学株式会社
高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-245423 出願人：ナノガンリミテッド

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審査官引用 (4件)

周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、および、当該製造方法によって得られた周期表第13族金属窒化物半導体結晶を用いた半導体発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-061527 出願人：三菱化学株式会社
周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、それに用いるノズルおよび製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-276044 出願人：三菱化学株式会社
高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-245423 出願人：ナノガンリミテッド

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