特許
J-GLOBAL ID：201303028274678488
周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、および、当該製造方法によって得られた周期表第13族金属窒化物半導体結晶を用いた半導体発光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061527
公開番号（公開出願番号）：特開2013-227202
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】結晶の反りやクラックを簡便に抑制することが可能な、周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】下地基板上に、周期表第13族金属窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる成長工程を有し、下地基板は、エピタキシャル成長させる結晶とは異なる結晶であり、成長工程にわたって前記下地基板の主面面積SAと前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積GAとの面積比aが式(1)の条件を満たしており、前記成長工程において、式(2)の条件を満たす成長阻害部材を用いることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体の製造方法。式(1):面積比a=GA/SA≦0.90(SA:前記下地基板の主面面積、GA:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積)式(2):TG/TM≦100・・・(2)(TG:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の成長厚み、TM:成長阻害部材の厚み)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下地基板上に、周期表第13族金属窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる成長工程を有し、
前記下地基板は、エピタキシャル成長させる前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶とは異なる結晶であり、
前記成長工程にわたって前記下地基板の主面面積SAと前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積GAとの面積比aが下記式(1)の条件を満たしており、
前記成長工程において、下記式(2)の条件を満たす成長阻害部材を用いることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体の製造方法。
式(1):面積比a=GA/SA≦0.90(SA:前記下地基板の主面面積、GA:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積)
式(2):TG/TM≦100・・・(2)(TG:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の成長厚み、TM:成長阻害部材の厚み)
IPC (6件)：
C30B 29/38
, C30B 25/04
, C23C 16/34
, C23C 16/04
, H01L 21/205
, H01L 33/32
C30B29/38 D
, C30B25/04
, C23C16/34
, C23C16/04
, H01L21/205
, H01L33/00 186
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TC19
, 4G077TK01
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB14
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF09
, 5F045BB11
, 5F045DB02
, 5F141AA40
, 5F141AA41
, 5F141CA40
, 5F141CA64
