特許
J-GLOBAL ID:201503015770205255
増大した降伏電圧を有するトランジスタ
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
杉村 憲司
, 吉澤 雄郎
, 色部 暁義
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-015708
公開番号(公開出願番号):特開2013-172151
特許番号:特許第5722931号
出願日: 2013年01月30日
公開日(公表日): 2013年09月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 インターデジタル配置されたドレイン及びソースフィンガー電極を有するトランジスタであって、前記トランジスタは、
前記インターデジタル配置されたドレイン及びソースフィンガー電極の間に位置するゲート領域、及び
湾曲したドレインフィンガー電極終端部を有するドレインフィンガー電極を備え、
前記湾曲したドレインフィンガー電極終端部は前記ゲート領域により取り囲まれ、増大した曲率半径を有し、
前記湾曲したドレインフィンガー電極終端部を取り囲む前記ゲート領域は、前記湾曲したドレインフィンガー電極終端部の前記増大した曲率半径より大きい曲率半径を有する
ことを特徴とするトランジスタ。
IPC (11件):
H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/49 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (9件):
H01L 29/50 M
, H01L 29/80 H
, H01L 29/80 L
, H01L 29/58 G
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/48 E
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/78 301 X
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-146700
出願人:サンケン電気株式会社
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薄膜トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-187398
出願人:カシオ計算機株式会社
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電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-226744
出願人:関西日本電気株式会社
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