特許

J-GLOBAL ID：201503015874348628

SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板

発明者： 柴田 顕次 ,  宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  関 和明
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275589
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124215
特許番号：特許第5829508号
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1のSiC結晶層と、少なくとも1層のグラフェン(graphene)と、第2のSiC結晶層が順に積層しているSiC結晶基板であって、 第1のSiC結晶層の欠陥密度に比して第2のSiC結晶層の欠陥密度が小さいことを特徴とするSiC結晶基板。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 19/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-280772   出願人：住友電気工業株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-307154   出願人：三菱電機株式会社
• SiC単結晶の接着方法及びSiC単結晶の溶液成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-038304   出願人：トヨタ自動車株式会社