特許
J-GLOBAL ID：201503016284647049
半導体装置
出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所
, 株式会社豊田中央研究所 について
株式会社デンソー
株式会社デンソー について
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-049256
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187240
特許番号：特許第5756041号
出願日： 2012年03月06日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 モノリシックICに組み込まれるダイオードであって、
溝部が設けられている半導体層と、第1絶縁層と、抵抗性フィールドプレートと、を備えており、
前記半導体層は、上面部に設けられているカソード領域と、上面部に設けられているとともに前記カソード領域から離れて設けられているアノード領域と、前記カソード領域と前記アノード領域との間に設けられているドリフト領域と、を有しており、
前記第1絶縁層は、前記半導体層の上面に設けられており、
前記抵抗性フィールドプレートは、前記第1絶縁層の上面に設けられており、一端が前記カソード領域に電気的に接続されており、他端が前記アノード領域に電気的に接続されており、
前記ドリフト領域は、前記半導体層のうちの前記溝部に対応する範囲に配置されており、
前記第1絶縁層と前記抵抗性フィールドプレートは、前記溝部の内部に設けられている、ダイオード。
IPC (4件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
FI (6件)：
引用特許：
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