特許

J-GLOBAL ID：201503018059104853

半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法

発明者： 原田 憲 ,  柴田 俊明 ,  水谷 文一
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-021580
公開番号（公開出願番号）：特開2015-165562
出願日： 2015年02月05日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板におけるCMP工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液及び洗浄方法を提供する。【解決手段】(A)ヒスチジンおよびヒスチジン誘導体に代表される一般式(1)で示される化合物、(B)アスコルビン酸、(C)没食子酸及び(D)水を含有するpHが8以上の半導体デバイス用基板洗浄液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

以下の成分(A)〜(D)を含有するpHが8以上の半導体デバイス用基板洗浄液。 (A)下記一般式(1)で示される化合物

IPC (10件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 17/08 ,  C11D 7/08 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/28 ,  C11D 3/26 ,  C11D 1/22 ,  C11D 1/28

FI (12件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647B ,  H01L21/304 647Z ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D17/08 ,  C11D7/08 ,  C11D3/20 ,  C11D3/28 ,  C11D3/26 ,  C11D1/22 ,  C11D1/28

Fターム (38件)：

4H003AB18 ,  4H003AB22 ,  4H003AB23 ,  4H003AB24 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA03 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB11 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003ED02 ,  4H003FA05 ,  4H003FA15 ,  4H003FA21 ,  4H003FA28 ,  5F157AA35 ,  5F157AA70 ,  5F157AA96 ,  5F157BC54 ,  5F157BD02 ,  5F157BD04 ,  5F157BE12 ,  5F157BE43 ,  5F157BE45 ,  5F157BE70 ,  5F157BF03 ,  5F157BF12 ,  5F157BF34 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157BF56 ,  5F157BF58 ,  5F157BF59 ,  5F157BF63 ,  5F157BF73 ,  5F157BF92

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅の洗浄及び保護配合物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-532325   出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
• 洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-055357   出願人：三洋化成工業株式会社
• 銅配線半導体用洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-133560   出願人：三洋化成工業株式会社