銅の洗浄及び保護配合物

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲葉良幸 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-532325
公開番号（公開出願番号）：特表2012-506457
出願日： 2009年10月20日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：

【課題】低k誘電体材料又は銅相互接続材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのCMP後の残渣及び汚染物質材料を効果的に洗浄を達成すること。【解決手段】化学的機械的研磨(CMP)後の残渣及び汚染物質を、自身上に前記残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから洗浄する洗浄組成物及びプロセス。洗浄組成物は新規の腐食防止剤を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの溶媒、少なくとも1つの腐食防止剤、少なくとも1つのアミン、及び少なくとも1つの4級塩基を含む洗浄組成物であって、前記腐食防止剤が、リボシルプリン及びそのメチル化又はデオキシ誘導体、アデノシン及びアデノシン誘導体の分解生成物、プリン-糖類複合体、メチル化又はデオキシプリン誘導体及びその反応生成物又は分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される1種を含む洗浄組成物。

IPC (12件)：

C11D 7/32 , C11D 7/50 , C11D 3/33 , C11D 3/30 , C11D 3/28 , C11D 7/08 , C11D 7/18 , C11D 7/26 , C11D 3/22 , C11D 3/43 , H01L 21/304 , C23G 1/06

FI (13件)：

C11D7/32 , C11D7/50 , C11D3/33 , C11D3/30 , C11D3/28 , C11D7/08 , C11D7/18 , C11D7/26 , C11D3/22 , C11D3/43 , H01L21/304 647A , H01L21/304 647B , C23G1/06

Fターム (52件)：

4H003DA09 , 4H003DA15 , 4H003EB03 , 4H003EB07 , 4H003EB14 , 4H003EB19 , 4H003EB20 , 4H003EB41 , 4H003EE02 , 4H003FA15 , 4K053PA06 , 4K053QA06 , 4K053QA07 , 4K053RA44 , 4K053RA46 , 4K053RA47 , 4K053RA52 , 4K053RA59 , 4K053RA62 , 4K053RA63 , 4K053RA64 , 4K053RA69 , 4K053SA04 , 4K053SA06 , 4K053SA12 , 4K053SA18 , 4K053YA02 , 4K053YA03 , 5F157AA32 , 5F157AA35 , 5F157AA63 , 5F157AA65 , 5F157AA70 , 5F157AA93 , 5F157AA94 , 5F157AA96 , 5F157BB01 , 5F157BC02 , 5F157BC03 , 5F157BC05 , 5F157BD02 , 5F157BD03 , 5F157BD05 , 5F157BD06 , 5F157BD09 , 5F157BE12 , 5F157BF12 , 5F157BF22 , 5F157BF38 , 5F157BF39 , 5F157BF42 , 5F157CB03

引用特許：

審査官引用 (9件)

洗浄剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-181801 出願人：花王株式会社
半導体洗浄用洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-236173 出願人：三洋化成工業株式会社
防食剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-196511 出願人：日本電気株式会社

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