銅配線半導体用洗浄剤

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-133560
公開番号（公開出願番号）：特開2012-021151
出願日： 2011年06月15日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
要約：

【課題】研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。【解決手段】銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン(A)、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩(B)、および水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン(A)、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩(B)、および水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。

IPC (5件)：

C11D 7/32 , C11D 3/26 , C11D 3/30 , H01L 21/304 , H01L 21/320

FI (5件)：

C11D7/32 , C11D3/26 , C11D3/30 , H01L21/304 647A , H01L21/88 K

Fターム (38件)：

4H003BA12 , 4H003DA09 , 4H003DA15 , 4H003DB03 , 4H003EB12 , 4H003EB13 , 4H003ED02 , 4H003FA15 , 4H003FA28 , 5F033HH11 , 5F033MM01 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ93 , 5F033QQ96 , 5F033WW00 , 5F033XX21 , 5F157AA35 , 5F157AA42 , 5F157AA43 , 5F157AA70 , 5F157AA85 , 5F157AA93 , 5F157AA94 , 5F157AA96 , 5F157AB02 , 5F157AB03 , 5F157AB89 , 5F157BA02 , 5F157BB01 , 5F157BC03 , 5F157BC07 , 5F157BC54 , 5F157BD09 , 5F157BE12 , 5F157BF38 , 5F157BF73 , 5F157DB57

引用特許：

審査官引用 (8件)

カチオン塩含有残留物除去用の組成物及びそれを使用する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-172611 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
半導体基板上の無機残滓を洗浄するための銅に対し特異な腐食防止剤を含む水性洗浄用組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-538301 出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-576566 出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

一般社団法人日本銅センターウェブサイト, 2005, Q&A,カテゴリ「その他」

前のページに戻る