特許

J-GLOBAL ID：201503018597464214

光起電力素子およびその製造方法

発明者： 川井 正一 ,  祖父江 進 ,  市村 正也
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  国立大学法人 名古屋工業大学
代理人 (3件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平 ,  久保 貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-171577
公開番号（公開出願番号）：特開2015-008262
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
要約：

【課題】低エネルギーで均一な硫化鉄薄膜を成膜するとともに、被メッキ基板の腐食を抑制する。【解決手段】この光起電力素子は、基板の第1主面に形成されたN導電型のN型薄膜と、硫化鉄を主成分とし、N型薄膜上に形成されたP導電型のP型薄膜と、を有する光起電力素子である。そして、N型薄膜とP型薄膜との間に、N型薄膜に較べて、酸あるいはアルカリに対する耐性の強い、バッファ層を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板(20)の第1主面(22a)に形成されたN導電型のN型薄膜(30)と、硫化鉄を主成分とし、前記N型薄膜上に形成されたP導電型のP型薄膜(40)と、を有する光起電力素子であって、 前記N型薄膜と前記P型薄膜との間に、前記N型薄膜に較べて、酸あるいはアルカリに対する耐性の強い、バッファ層(50)を有することを特徴とする光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/06 ,  C23C 28/04

FI (2件)：

H01L31/04 E ,  C23C28/04

Fターム (29件)：

4K044AA12 ,  4K044AB10 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA19 ,  4K044BB04 ,  4K044BB05 ,  4K044BB06 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA18 ,  4K044CA62 ,  4K044CA64 ,  4K044CA67 ,  5F151AA07 ,  5F151AA09 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151DA12 ,  5F151DA20 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ヘテロ接合光電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-347096   出願人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-154854   出願人：株式会社豊田中央研究所, アイシン精機株式会社
• 酸化物蒸着材と透明導電膜および太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-170731   出願人：住友金属鉱山株式会社