半導体光集積素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134252
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258336
特許番号：特許第5823920号
出願日： 2012年06月13日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積された半導体光集積素子であって、光導波方向に対して、前記DFBレーザ、前記EA変調器、前記SOAの順に集積され、前記DFBレーザ及び前記SOAは、同一の制御端子から、前記DFBレーザと前記SOAの光導波方向についての長さの比に応じた電流が注入されることを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (6件)：

H01S 5/068 ( 200 6.01) , H01S 5/12 ( 200 6.01) , H01S 5/026 ( 200 6.01) , H01S 5/50 ( 200 6.01) , G02B 6/12 ( 200 6.01) , G02F 1/017 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01S 5/068 , H01S 5/12 , H01S 5/026 650 , H01S 5/026 616 , H01S 5/50 610 , G02B 6/12 301 , G02F 1/017 502

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-021219 出願人：日本電信電話株式会社
量子ドット半導体光増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-116932 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
光波長変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273435 出願人：東京大学長

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審査官引用 (5件)

半導体光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-021219 出願人：日本電信電話株式会社
量子ドット半導体光増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-116932 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
光波長変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273435 出願人：東京大学長

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