特許

J-GLOBAL ID：201503019243845242

高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板

発明者： ヴァウド,ロバート,ピー. ,  スー,シュエピン ,  フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール.
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265880
公開番号（公開出願番号）：特開2014-129225
特許番号：特許第5827674号
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 <0001>方向から ±15度または ±15度の方向に向かって0.2〜1度の範囲のオフカット角度でオフカットされたGaN(0001)表面を含み、該表面はオフカット角度の分布を有し、かつ、全体にオフカットを有しており、 格子湾曲を有する、GaN基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/18 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-192721   出願人：三洋電機株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005385   出願人：シャープ株式会社