特許

J-GLOBAL ID：201503019584687467

窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置

発明者： 大保 安宏 ,  杉山 正史 ,  飯田 潤二 ,  福山 博之 ,  安達 正芳
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-069918
公開番号（公開出願番号）：特開2015-189650
出願日： 2014年03月28日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：

【課題】Ga-Al合金融液を用いてシード基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、安定して良質な窒化アルミニウム結晶を得る。【解決手段】Ga-Al合金融液6にN原子を含有するガスを供給する供給口2bと対向する位置にシード基板4が配置され、供給口2bとシード基板4との間のGa-Al合金融液6にガスを一時的に滞留させてシード基板4上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga-Al合金融液にN原子を含有するガスを供給する供給口と対向する位置にシード基板が配置され、該供給口と該シード基板との間の該Ga-Al合金融液に該ガスを一時的に滞留させて該シード基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/10 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/38 C ,  C30B19/10 ,  H01L21/208 D

Fターム (25件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077EG03 ,  4G077EG11 ,  4G077EG23 ,  4G077EG24 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA54 ,  5F053AA03 ,  5F053BB04 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH05 ,  5F053PP03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III-V族化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-350259   出願人：日立電線株式会社
• 窒化アルミニウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-050415   出願人：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学
• III族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのIII族金属窒化物結晶の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-415008   出願人：松下電工株式会社, 森勇介