特許

J-GLOBAL ID：200903031900347810

III族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのIII族金属窒化物結晶の製法

発明者： ▲高▼倉 信之 ,  安田 正治 ,  近藤 行廣 ,  岩橋 友也 ,  ▲高▼見 茂成 ,  池田 順治 ,  川村 史朗 ,  森 勇介 ,  佐々木 孝友
出願人/特許権者： 松下電工株式会社 ,  森 勇介
代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  植木 久一 ,  伊藤 孝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415008
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175276
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 本発明の目的は、表面に凹凸の少ないIII族金属の窒化物結晶を製造できる方法を提供することにある。本発明の他の目的は、こうした製法で得られたIII族金属の窒化物結晶を基材として用いた半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】 反応容器内で、III族金属から選ばれる少なくとも1種と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属よりなる群から選ばれる2種以上とを混合した融液に、種結晶を浸漬し、前記融液と窒素を接触させることにより前記種結晶表面にIII族金属の窒化物結晶を製造する方法であって、前記種結晶の表面近傍における前記融液の停滞を回避するように操業する。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、 III族金属から選ばれる少なくとも1種と、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属よりなる群から選ばれる2種以上と を混合した融液に、種結晶を浸漬し、前記融液と窒素を接触させることにより前記種結晶表面にIII族金属の窒化物結晶を製造する方法であって、 前記種結晶の表面近傍における前記融液の停滞を回避するように操業することを特徴とするIII族金属窒化物結晶の製法。

IPC (4件)：

H01L21/208 ,  C30B19/02 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

FI (4件)：

H01L21/208 D ,  C30B19/02 ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C

Fターム (35件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CG01 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EE06 ,  4G077EE08 ,  4G077EG07 ,  4G077EG12 ,  4G077EG14 ,  4G077HA02 ,  4G077QA01 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA54 ,  4G077QA58 ,  4G077QA74 ,  4G077QA75 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F053AA03 ,  5F053AA44 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL01 ,  5F053RR20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237195   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (6件)

• III族窒化物基板の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-075103   出願人：松下電器産業株式会社, 森勇介
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-028753   出願人：三洋電機株式会社
• 単結晶の製造方法、単結晶および複合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-328543   出願人：日本碍子株式会社
• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-355720   出願人：株式会社リコー
• 窒化物単結晶製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-261669   出願人：株式会社神戸製鋼所, 佐々木孝友, 森勇介, 吉村政志
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237195   出願人：株式会社リコー