特許
J-GLOBAL ID：201503019631834473

電界効果トランジスタ及び半導体装置

発明者：
岡本 康宏

岡本 康宏 について

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安藤 裕二

安藤 裕二 について

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中山 達峰

中山 達峰 について

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井上 隆

井上 隆 について

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大田 一樹

大田 一樹 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-054319
公開番号（公開出願番号）：特開2015-149488
出願日： 2015年03月18日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜の厚さを変えることで、電界効果トランジスタの閾値電圧を制御することが可能となり、高閾値化や閾値電圧の設計範囲拡大に大きく寄与する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に設けられた半導体層とを備える。半導体層は、Ga面成長し、格子緩和した組成In1-zAlzN(0≦z≦1)を有する下部障壁層12と、下部障壁層12上に設けられ、下部障壁層12と格子整合し、組成AlxGa1-xN(0≦x≦1)又はInyGa1-yN(0≦y≦1)を有するチャネル層13を備える。半導体層の上部にオーミック接触するソース電極21とドレイン電極22とが互いに離間して配設されており、ソース電極21とドレイン電極22の間の領域に、ゲート絶縁膜32を介してゲート電極23が配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に設けられた下部障壁層と、 前記下部障壁層上に設けられたチャネル層と、 前記チャネル層上に設けられた電子供給層と、 前記電子供給層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に設けられたゲート電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に設けられたリセスと、 を備え、 前記下部障壁層は、組成In1-zAlzN(0≦z≦1)であり、 前記チャネル層は、組成がAlxGa1-xN(0≦x≦1)又は組成InyGa1-yN(0≦y≦1)であり、 前記リセスは、前記電子供給層を貫通し前記チャネル層が露出する深さの開口が形成されており、 前記ゲート電極は、前記リセスの底面及び内壁を覆うゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極が形成されている、電界効果トランジスタを備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
Fターム (35件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK38 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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