特許
J-GLOBAL ID：200903089418592628

ヘテロ接合型電界効果半導体装置

発明者：
金子 信男

金子 信男 について

, 
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-220356
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054807
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】ノーマリオフのHEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層4と、電子供給層5と、ソース電極6と、ドレイン電極7と、ゲート電極8と、シリコン酸化物から成る第1の絶縁膜9と、シリコン窒化物から成る第2の絶縁膜10とを有している。電子供給層5に凹部15が形成され、この凹部15の底面16の上にシリコン窒化物から成る第2の絶縁膜10を介してゲート電極8が配置されている。電子走行層4の上にシリコン酸化物から成る第1の絶縁膜9とシリコン窒化物から成る第2の絶縁膜10とが順次に配置されている。これにより、ノーマリオフ特性を有し且つオン抵抗が小さいヘテロ接合型電界効果半導体装置を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体層と、前記第1の半導体層にヘテロ接合され且つ前記ヘテロ接合に基づいて2次元キャリアガス層を形成することができる材料から成る第2の半導体層とを備えている主半導体領域と、 前記主半導体領域の一方の主面上に配置されたソース電極と、 前記主半導体領域の一方の主面上に前記ソース電極から離間して配置されたドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の電流通路を制御するために前記主半導体領域の一方の主面上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と を備えているヘテロ接合型電界効果半導体装置であって、 前記主半導体領域の一方の主面の前記ゲート電極に対向する部分に凹部が形成され、 前記凹部の深さは、前記第2の半導体層の厚みに等しい値、又は前記第2の半導体層の厚みに前記第1の半導体層の厚みよりも小さい値を加算した値に設定され、 前記主半導体領域の一方の主面における前記凹部を除く前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の少なくとも一部上にシリコン酸化物から成る第1の絶縁膜が配置され、 前記凹部の底面及び側面にシリコン窒化物から成る第2の絶縁膜が配置され、 前記ゲート電極は前記第2の絶縁膜を介して前記凹部の上に配置されていることを特徴とするヘテロ接合型電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (21件)：
5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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