半導体光検出器

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-020952
公開番号（公開出願番号）：特開2015-149376
出願日： 2014年02月06日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：

【課題】複数種類の半導体を組み合わせることにより、広帯域の半導体光検出器を提供する。【解決手段】ワイドバンドギャップの半導体または絶縁体基板上に設けられた電極の対の間にナノワイヤ等を接続する。ナノワイヤとして種類の違う半導体で作成したものを混在させたり、また基板とナノワイヤの半導体として種類の異なるものを使用することで、複数種類の半導体光検出器を並列接続した回路構成と等価な広帯域の光検出素子を構成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁体またはワイドバンドギャップ半導体の基板と、前記基板上に設けられた電極の対と、前記電極の対の間に接続された複数種類の半導体ナノ構造体とを設けた半導体光検出器。

IPC (4件)：

H01L 31/026 , H01L 31/10 , B82Y 30/00 , B82Y 20/00

FI (4件)：

H01L31/08 L , H01L31/10 D , B82Y30/00 , B82Y20/00

Fターム (21件)：

5F049MA05 , 5F049MB01 , 5F049MB02 , 5F049MB07 , 5F049NA20 , 5F049SS01 , 5F049SS03 , 5F049SS04 , 5F049WA03 , 5F049WA05 , 5F088AA11 , 5F088AB02 , 5F088AB07 , 5F088AB09 , 5F088BA20 , 5F088GA02 , 5F088GA04 , 5F088GA05 , 5F088LA01 , 5F088LA03 , 5F088LA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子デバイスおよびその製造方法、並びに、上記電子デバイスを備えた照明装置およびセンサーシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-221160 出願人：シャープ株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-292203 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-109282 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング

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