特許
J-GLOBAL ID：201503019726057148

エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャル成長装置

発明者：
カン、ユ-ジン

カン、ユ-ジン について


出願人/特許権者：
エルジー シルトロン インコーポレイテッド

エルジー シルトロン インコーポレイテッド について


代理人 (5件)： 木村 満 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  桜田 圭 ,  美恵 英樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-538019
公開番号（公開出願番号）：特表2015-535142
出願日： 2013年10月16日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：
本発明は、チャンバー内でウェハとソースガスとを反応させてエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェハを製造するためのサセプタであって、前記ウェハが配置される開口部が形成されたポケットと、前記ウェハが支持されるレッジ部と、前記サセプタの開口部上面の外周部に形成されるガス調節部材と、を含み、前記ガス調節部材は、前記ウェハの<110>結晶方向に対向する所定の領域に形成される第1ガス調節部材と、前記ウェハの<100>結晶方向に対向する所定の領域に形成される第2ガス調節部材と、前記第1ガス調節部材と前記第2ガス調節部材との間に形成される第3ガス調節部材とを含み、前記第1ガス調節部材と前記第2ガス調節部材及び前記第3ガス調節部材は、前記ウェハの円周に沿って形成される領域の大きさが互いに異なるように形成され、前記第1、第2及び第3ガス調節部材は、ガスの流量を変化させるために、ウェハの中心方向からサセプタ方向への傾斜度が互いに異なるように形成される。従って、サセプタの外周部にガス流量増加及び減少装置(ガス調節部材)が形成される領域を異なるように形成することで、半導体ウェハにエピタキシャル層を形成する際に、ウェハエッジ部のエピ層の厚さの偏差を減少させることができる。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
チャンバー内でウェハとソースガスとを反応させてエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェハを製造するためのサセプタであって、 前記ウェハが配置される開口部が形成されたポケットと、 前記ウェハが支持されるレッジ部と、 前記サセプタの開口部上面の外周部に形成されるガス調節部材と、を含み、 前記ガス調節部材は、 前記ウェハの<110>結晶方向に対向する所定の領域に形成される第1ガス調節部材と、 前記ウェハの<100>結晶方向に対向する所定の領域に形成される第2ガス調節部材と、 前記第1ガス調節部材と前記第2ガス調節部材との間に形成される第3ガス調節部材と、を含み、 前記第1ガス調節部材と前記第2ガス調節部材及び前記第3ガス調節部材は、前記ウェハの円周に沿って形成される領域の大きさが互いに異なるように形成され、 前記第1、第2及び第3ガス調節部材は、ガスの流量を変化させるために、ウェハの中心方向からサセプタ方向への傾斜度が互いに異なるように形成されることを特徴とする、エピタキシャル成長用サセプタ。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N
Fターム (19件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  5F045AB02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF13 ,  5F045EM02 ,  5F045EM07 ,  5F045EM09 ,  5F131AA02 ,  5F131BA04 ,  5F131CA08 ,  5F131CA32 ,  5F131EA13 ,  5F131EB56 ,  5F131EB79
引用特許：
審査官引用 (5件)
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