特許
J-GLOBAL ID：201503020459411520

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
須澤 英臣

須澤 英臣 について

, 
岡崎 豊

岡崎 豊 について

, 
宮入 秀和

宮入 秀和 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-102106
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005733
出願日： 2014年05月16日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置であって、信頼性の高い半導体装置を提供する。または、酸化物半導体を用いた半導体装置であって、良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。【解決手段】第1の保護絶縁層と、第1の保護絶縁層上に、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極上に位置し、酸化物半導体層と重なるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重なるゲート電極と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を覆う第2の保護絶縁層と、を有する構成とする。また第1の保護絶縁層および第2の保護絶縁層は、酸素過剰領域を有する酸化アルミニウム膜を含み、且つソース電極、ドレイン電極およびゲート電極の存在しない領域において互いに接する領域を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の保護絶縁層と、 前記第1の保護絶縁層上に、酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極上に位置し、前記酸化物半導体層と重なるゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、 前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極を覆う第2の保護絶縁層と、を有し、 前記第1の保護絶縁層および前記第2の保護絶縁層は、酸素過剰領域を有する酸化アルミニウム膜を含み、且つ前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極の存在しない領域において互いに接する領域を有する、 半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/146
FI (14件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/04 C ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/14 C ,  H01L27/08 321C
Fターム (142件)：
4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC02 ,  5F048BC18 ,  5F048BD05 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB10 ,  5F083AD02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE25 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL14 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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