特許
J-GLOBAL ID：201303092691228630

半導体装置、及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-151180
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038400
出願日： 2012年07月05日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エネルギーギャップが異なる第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層と、 前記酸化物半導体積層上にソース電極層及びドレイン電極層と、 前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体積層と重なるゲート電極層とを有し、 前記第1の酸化物半導体層と前記第2の酸化物半導体層との間に、前記第1の酸化物半導体層及び前記第2の酸化物半導体層と組成が異なる混合領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/146 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/363
FI (10件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 616L ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/14 C ,  C23C14/08 N ,  H01L21/363
Fターム (191件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118GA02 ,  4M118GA03 ,  4M118GB15 ,  4M118HA25 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD40 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH11 ,  5F101BH16 ,  5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103PP11 ,  5F103PP12 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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