基板処理装置及び基板処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-061435
公開番号（公開出願番号）：特開2015-185713
出願日： 2014年03月25日
公開日（公表日）： 2015年10月22日
要約：

【課題】凹凸パターンの変形を抑制する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1処理部と、第2処理部と、を含む基板処理装置が提供される。前記第1処理部は、固相から気相に転移可能な物質と、溶剤と、を含む第1液体を、表面に凹凸パターンが設けられた基板の前記表面に供給した後に前記表面の前記溶剤の量を減少させる。前記第2処理部は、前記表面の前記溶剤の量が減少された前記基板を収容する第1処理室を含む。前記第1処理室は、前記第1処理室の内部が減圧された状態で前記基板を加熱して前記表面の前記物質の少なくとも一部を前記固相から前記気相に転移させて前記物質を除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

固相から気相に転移可能な物質と、溶剤と、を含む第1液体を、表面に凹凸パターンが設けられた基板の前記表面に供給した後に前記表面の前記溶剤の量を減少させる第1処理部と、前記表面の前記溶剤の量が減少された前記基板を収容する第1処理室であって前記第1処理室の内部が減圧された状態で前記基板を加熱して前記表面の前記物質の少なくとも一部を前記固相から前記気相に転移させて前記物質を除去する第1処理室を含む第2処理部と、を備えた基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 651K , H01L21/304 643A , H01L21/304 651M

Fターム (14件)：

5F157AA09 , 5F157AA63 , 5F157AA73 , 5F157AA93 , 5F157AB44 , 5F157AC53 , 5F157BB23 , 5F157BH18 , 5F157CB22 , 5F157CB29 , 5F157CE62 , 5F157CE72 , 5F157CF34 , 5F157DA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板乾燥方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-110677 出願人：東京エレクトロン株式会社
ウェハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-179894 出願人：セントラル硝子株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-149367 出願人：株式会社東芝

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