特許

J-GLOBAL ID：201503020964536760

不揮発性記憶装置

発明者： 藤井 章輔 ,  石川 貴之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-195114
公開番号（公開出願番号）：特開2015-061019
出願日： 2013年09月20日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：

【課題】整流機能を有するFTJを備えた不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の不揮発性記憶装置は、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられる強誘電体膜と、第1の導電層または第2の導電層のいずれか一方と強誘電体膜の間に設けられ、強誘電体膜よりも誘電率が高く、膜厚が1.5nm以上10nm以下の常誘電体膜と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、 第2の導電層と、 前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられる強誘電体膜と、 前記第1の導電層または前記第2の導電層のいずれか一方と前記強誘電体膜の間に設けられ、前記強誘電体膜よりも誘電率が高く、膜厚が1.5nm以上10nm以下の常誘電体膜と、 を備える不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L27/10 444Z ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (8件)：

5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-183699   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶素子の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-237160   出願人：パナソニック株式会社
• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-109936   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Low power and high speed bipolar switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust HfO2 based