特許
J-GLOBAL ID：201203062375594818
不揮発性記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-109936
公開番号（公開出願番号）：特開2012-243826
出願日： 2011年05月16日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：
【課題】低コストで量産性に優れた不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の不揮発性記憶装置は、下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられ、第1酸化物を含有する第1記憶素子膜と、前記第1記憶素子膜の上に設けられた上側電極膜と、を有する第1状態と、もしくは、前記下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられた前記第1記憶素子膜と、前記第1記憶素子膜の上に設けられ、第2酸化物を含有する第2記憶素子膜と、前記第2記憶素子膜の上に設けられた前記上側電極膜と、を有する第2状態と、を維持することが可能である。前記第2記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第1記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高い。前記第2状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗は、前記第1状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗よりも高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
積層膜構造を含む記憶セルを備え、
前記積層膜構造は、
下側電極膜と、
前記下側電極膜の上に設けられ、第1酸化物を含有する第1記憶素子膜と、
前記第1記憶素子膜の上に設けられた上側電極膜と、
を有する第1状態と、
もしくは、
前記下側電極膜と、
前記下側電極膜の上に設けられた前記第1記憶素子膜と、
前記第1記憶素子膜の上に設けられ、第2酸化物を含有する第2記憶素子膜と、
前記第2記憶素子膜の上に設けられた前記上側電極膜と、
を有する第2状態と、
を維持することが可能であり、
前記下側電極膜もしくは前記上側電極膜が酸化膜に変化する場合の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値は、前記第1記憶素子膜に含まれる前記第1酸化物の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値よりも小さく、
前記第2記憶素子膜に含まれる前記第2酸化物の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値は、前記上側電極膜が前記酸化膜に変化する場合の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値よりも大きく、
前記第2記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第1記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高く、
前記第2状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗は、前記第1状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗よりも高いことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
