特許
J-GLOBAL ID:201503021159888940
インジウム酸化物(In2O3)単結晶を成長させる方法及び装置並びにインジウム酸化物(In2O3)
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (13件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 中村 綾子
, 森本 聡二
, 角田 恭子
, 田中 祐
, 徳本 浩一
, 渡辺 篤司
, 児玉 真衣
, 水島 亜希子
, 増屋 徹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-507386
公開番号(公開出願番号):特表2015-515441
出願日: 2012年04月24日
公開日(公表日): 2015年05月28日
要約:
融液から真にバルク状のIn2O3単結晶を成長させる方法及び装置並びに溶融成長したバルク状のIn2O3単結晶が開示されている。成長法は、In2O3出発物質(23)を含む貴金属製のるつぼ(4)を加熱する間に、初めは非導電性のIn2O3出発物質(23)を制御されて分解し、このようにして温度上昇と共にIn2O3出発物質(23)の導電率を増加させて、In2O3付近でのるつぼ壁(26)を介しての誘導コイル(6)の電磁場と結合するのに十分な導電率にする。このような結合により液状のIn2O3出発物質の一部(23.1)が電磁浮上し、その際、首部(26)が結晶種として働く。液状のIn2O3出発物質を含む貴金属製のるつぼ(4)を冷却する間、少なくとも1つのバルク状のIn2O3単結晶(28.1、28.2)が形成される。この新規な結晶成長法を我々は「浮上支援自己種形成結晶成長法」と名付けた。融液からバルク状のIn2O3単結晶を成長させる装置は、誘導加熱されるサーマルシステムを備え、サーマルシステムは貴金属製のるつぼ(4)と排出通路(22、22.1)とを備え、排出通路(22、22.1)は、In2O3のガス状の分解生成物を排出させ、その際、非常に低い温度勾配を維持する働きをする。誘導コイル(6)と、貴金属製のるつぼ(4)と、るつぼをカバーする蓋(2)を利用して、非常に低い温度勾配、十分な排出通路及び高い浮上力を得ることができる。溶融成長In2O3単結晶の電気特性は、適切な雰囲気中で適切な温度で少なくとも1つの熱処理により広い範囲で変更できる。
請求項(抜粋):
バルク状のIn2O3単結晶を成長させる方法であって:i)成長チャンバ(2)内にサーマルシステム(3、103)を設けるステップであって、前記サーマルシステム(3、103)が、初めに非導電性のIn2O3出発物質(23)を含む貴金属製のるつぼ(4、104)と、前記貴金属製のるつぼ(4、104)の底部及び側面を囲む、るつぼ断熱材(9)と、前記貴金属製のるつぼ(4、104)の周囲に配置して、無線周波数(RF)発生器(7)に接続する誘導コイル(6、106)とを備えるものであり、前記るつぼの壁厚(th)を、下記式に示すように、前記誘導コイルにより貴金属製のるつぼ壁(24)内に誘導された渦電流の侵入深さより大きくしないステップ
IPC (3件):
C30B 29/16
, C30B 11/00
, C30B 30/08
FI (3件):
C30B29/16
, C30B11/00 Z
, C30B30/08
Fターム (36件):
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077BB10
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CD10
, 4G077EA01
, 4G077EA05
, 4G077EA07
, 4G077EB01
, 4G077EG02
, 4G077EG18
, 4G077EG20
, 4G077EG21
, 4G077EH07
, 4G077EJ06
, 4G077FE02
, 4G077FE12
, 4G077FJ06
, 4G077GA07
, 4G077HA01
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA11
, 4G077HA12
, 4G077MA01
, 4G077MA02
, 4G077MB14
, 4G077MB21
, 4G077MB22
, 4G077MB23
, 4G077MB33
, 4G077MB35
, 4G077RA07
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献: