特許

J-GLOBAL ID：201503024399890933

窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置

発明者： 大保 安宏 ,  杉山 正史 ,  飯田 潤二 ,  福山 博之 ,  安達 正芳
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-069923
公開番号（公開出願番号）：特開2015-006975
出願日： 2014年03月28日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
要約：

【課題】Ga-Al合金融液を用いてシード基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、安定して良質な窒化アルミニウム結晶を得る。【解決手段】Ga-Al合金融液5中において、N原子を含有するガスを供給する供給口1b側にシード基板3が配置されるように保持プレート4を浸漬させ、Ga-Al合金融液5中のシード基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga-Al合金融液中において、N原子を含有するガスを供給する供給口側にシード基板が配置されるように該シード基板を保持プレートで保持し、該シード基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 C

Fターム (9件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG05 ,  4G077EG14 ,  4G077EG23 ,  4G077LA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化アルミニウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-050415   出願人：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学
• III族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのIII族金属窒化物結晶の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-415008   出願人：松下電工株式会社, 森勇介
• シリコン結晶の液相成長方法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-294897   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭57-076821