特許
J-GLOBAL ID：201503030405337036

炭化ケイ素半導体装置及び炭化ケイ素半導体装置の製造方法

発明者：
福田 祐介

福田 祐介 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (5件)： 出口 智也 ,  勝沼 宏仁 ,  永井 浩之 ,  磯貝 克臣 ,  大野 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-126053
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002266
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
要約：
【課題】炭化ケイ素半導体装置のON抵抗を低減しつつ、炭化ケイ素半導体基板の強度を高くし、当該炭化ケイ素半導体基板に反りが発生することも防止すること。【解決手段】炭化ケイ素半導体装置は、炭化ケイ素半導体基板10と、炭化ケイ素半導体基板10上に形成された炭化ケイ素半導体層20と、炭化ケイ素半導体層20上に設けられた電極50と、を備えている。炭化ケイ素半導体基板10の下面であって電極50の鉛直方向下方を含む領域に限定して、レーザー光Lを照射することによって形成された凹部15が設けられている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素半導体基板と、 前記炭化ケイ素半導体基板上に形成された炭化ケイ素半導体層と、 前記炭化ケイ素半導体層上に設けられた電極と、 を備え、 前記炭化ケイ素半導体基板の下面であって前記電極の鉛直方向下方を含む領域に限定して、レーザー光を照射することによって形成された凹部が設けられていることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/302
FI (3件)：
H01L21/302 104C ,  H01L29/48 D ,  H01L21/302 201B
Fターム (18件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  5F004BB03 ,  5F004DB19
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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