半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-003279
公開番号（公開出願番号）：特開2015-111703
出願日： 2015年01月09日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
要約：

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、駆動回路と画素部とを有し、前記駆動回路は、前記基板上方の第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上方の第1のゲート絶縁層と、前記第1のゲート絶縁層上に接する第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層上方の第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層上方の酸化物絶縁層と、を有し、前記画素部は、前記基板上方の第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極上方の第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層上方の第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、前記第2のゲート絶縁層上、前記第2のソース電極層上、及び前記第2のドレイン電極上に接する第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層上に接する前記酸化物絶縁層と、前記酸化物絶縁層上方の画素電極層と、を有し、前記第1の酸化物半導体層は、前記酸化物絶縁層と接する第1の領域と、前記第1のソース電極層または前記第1のドレイン電極層と重なる第2の領域と、を有し、前記第1の領域は、前記第2の領域よりも小さい膜厚を有し、前記第2の酸化物半導体層は、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層と重なる領域を有し、前記第2のゲート電極層、前記第2のゲート絶縁層、前記第2のソース電極層、前記第2のドレイン電極層、前記第2の酸化物半導体層、前記第2の絶縁層、及び前記画素電極層は透光性を有し、前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層は、金属配線であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/477 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/28 , G09F 9/30

FI (11件)：

H01L29/78 612B , H01L29/78 618B , H01L29/78 612C , H01L29/78 616V , H01L21/477 , H01L29/78 619A , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/28 , G09F9/30 338

Fターム (103件)：

2H192AA24 , 2H192BA25 , 2H192BC31 , 2H192CB06 , 2H192CB37 , 2H192FB15 , 2H192GD14 , 2H192JA13 , 3K107AA01 , 3K107AA07 , 3K107AA08 , 3K107AA09 , 3K107BB01 , 3K107CC33 , 3K107CC35 , 3K107CC36 , 3K107CC45 , 3K107DD22 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 3K107HH05 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA21 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5F110AA03 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE07 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-007887 出願人：凸版印刷株式会社
液晶表示装置用電極板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223685 出願人：凸版印刷株式会社

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