特許
J-GLOBAL ID：201503035329058345
光発電素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中前 富士男
, 清井 洋平
, 来田 義弘
, 藤本 勝誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-206499
公開番号（公開出願番号）：特開2015-072938
出願日： 2013年10月01日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
要約：
【課題】透明導電膜をスパッタリング法により成膜しても十分な発電効率を有するヘテロ接合型の光発電素子、及びこのような光発電素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型結晶半導体基板11と、n型結晶半導体基板11の一側にこの順に積層されるn型非晶質系半導体薄膜13及び第1の透明導電膜14と、n型結晶半導体基板11の他側にこの順に積層されるp型非晶質系半導体薄膜16及び第2の透明導電膜17とを備え、一側が光入射面として用いられる光発電素子10において、第1及び第2の透明導電膜14、17のいずれかは、少なくともタンタルがドープされた酸化インジウムから形成されている透明導電膜(α)である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の一側にこの順に積層されるn型非晶質系半導体薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の他側にこの順に積層されるp型非晶質系半導体薄膜及び第2の透明導電膜とを備え、一側が光入射面として用いられる光発電素子において、
前記第1及び第2の透明導電膜のいずれかは、少なくともタンタルがドープされた酸化インジウムから形成されている透明導電膜(α)であることを特徴とする光発電素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 H
, H01L31/04 B
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA05
, 5F151CA15
, 5F151CB15
, 5F151DA04
, 5F151FA01
, 5F151GA04
