特許

J-GLOBAL ID：201503056146337374

パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

発明者： 岩戸 薫 ,  渡邉 敬宏
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (13件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-141817
公開番号（公開出願番号）：特開2015-014726
出願日： 2013年07月05日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】パターンの超微細化に伴うパターン倒れの問題が改善され、且つ、解像性並びにラフネス特性に優れる微細パターンを形成することが可能なパターン形成方法、このパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して膜を形成する工程、前記膜を露光する工程、露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程、及び、超臨界流体により前記パターンを処理する工程を含むパターン形成方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

-感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して膜を形成する工程、 -前記膜を露光する工程、 -露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程、及び -超臨界流体により前記パターンを処理する工程 を含むパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  C08J 7/00

FI (6件)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/40 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 531E ,  C08J7/00 Z

Fターム (86件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096GA03 ,  2H096HA02 ,  2H096HA30 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF30P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH12 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ16Y ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ97Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN63P ,  2H125AN64P ,  2H125AN65P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CB12 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA06 ,  2H196GA03 ,  2H196HA02 ,  2H196HA40 ,  4F073BA18 ,  4F073BB01 ,  4F073BB10 ,  4F073DA06 ,  4F073DA09 ,  4F073DA11 ,  4F073EA15 ,  4F073EA16 ,  4F073EA17 ,  4F073EA21 ,  4F073EA24 ,  4F073EA79 ,  4F073HA02 ,  4F073HA05 ,  4F073HA09 ,  5F146GA16 ,  5F146GA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-334182   出願人：松下電器産業株式会社
• 3次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-541498   出願人：ザボードオブトラスティーズオブザユニヴァーシティーオブイリノイ
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312714   出願人：日本電信電話株式会社
• パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-218548   出願人：富士フイルム株式会社