パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高松猛 , 尾澤俊之 , 長谷川博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-218548
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080004
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：

【課題】高感度で、現像後のパターン倒れの発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスの提供。【解決手段】(A)下記一般式(A0)で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程(4)を有するパターン形成方法。上記一般式中、Arは樹脂(A)の主鎖と直接又は間接的に結合する芳香環基を表し、Raは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(A0)で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程(4)を有するパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/038 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C08F 212/14 , C08F 220/30 , C08F 232/08

FI (6件)：

G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , C08F212/14 , C08F220/30 , C08F232/08

Fターム (95件)：

2H125AF17P , 2H125AF19P , 2H125AF21P , 2H125AF38P , 2H125AF70P , 2H125AH04 , 2H125AH06 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH24 , 2H125AH29 , 2H125AJ02Y , 2H125AJ08X , 2H125AJ08Y , 2H125AJ14Y , 2H125AJ18Y , 2H125AJ23Y , 2H125AJ43X , 2H125AJ43Y , 2H125AJ48X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ68Y , 2H125AJ69Y , 2H125AJ75Y , 2H125AJ78Y , 2H125AK24 , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AL22 , 2H125AM86P , 2H125AM99P , 2H125AN08P , 2H125AN37P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN63P , 2H125AN64P , 2H125AN68P , 2H125AN86P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CB16 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA05 , 2H125FA23 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AL03Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AR04P , 4J100AR11P , 4J100AR17P , 4J100AR17R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA16P , 4J100BA16Q , 4J100BA22R , 4J100BA40Q , 4J100BC03R , 4J100BC08Q , 4J100BC08R , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC49P , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100FA19 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-025850
特開昭63-036240
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-227196 出願人：信越化学工業株式会社

全件表示

審査官引用 (10件)

電子線用又はEUV用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-016371 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-227196 出願人：信越化学工業株式会社
特開平2-025850

全件表示

前のページに戻る