特許
J-GLOBAL ID：201503057914488294
多波長光源装置および多波長光源システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-192156
公開番号（公開出願番号）：特開2015-060880
出願日： 2013年09月17日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：
【課題】互いに波長の異なる複数種類の光を出射可能としながら、小型化を図ることができる多波長光源装置およびこれを用いた多波長光源システムを提供する。【解決手段】多波長光源装置101は、半導体基材および半導体基材中に分散された量子ドットから構成される活性層113を有する積層構造体110を備える。ここで、積層構造体110は、2次元フォトニック結晶を構成する第1フォトニック結晶領域PC1〜PC4と、幅方向における両側に第1フォトニック結晶領域PC1が隣接しフォトニック結晶領域を伝播できない第1波長帯域の光の一部の第2波長帯域の光が伝播可能な複数の第1導波路領域WG1〜WG4とから構成される。そして、発光材料における、光学遷移可能な電子準位間のエネルギ差に相当する光の波長が、第2波長帯域の高状態密度波長帯域に含まれ、複数の第1導波路領域のうちの少なくとも2つの高状態密度波長帯域が互いに異なる。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
半導体基材および当該半導体基材中に分散された発光材料から構成される活性層を有する積層構造体を備える多波長光源装置であって、
前記積層構造体は、
2次元フォトニック結晶を構成する第1フォトニック結晶領域と、
幅方向における両側に前記第1フォトニック結晶領域が隣接し前記フォトニック結晶領域を伝播できない第1波長帯域の光の一部の第2波長帯域の光が伝播可能な複数の第1導波路領域とから構成され、
前記発光材料における、光学遷移可能な電子準位間のエネルギ差に相当する光の波長が、第2波長帯域の高状態密度波長帯域に含まれ、
前記複数の第1導波路領域のうちの少なくとも2つの前記高状態密度波長帯域が互いに異なる
多波長光源装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F173AA32
, 5F173AA46
, 5F173AB90
, 5F173AD06
, 5F173AF08
, 5F173AF12
, 5F173AH03
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP42
, 5F173AR07
, 5F173MF28
, 5F173MF32
, 5F173MF34
, 5F173MF36
, 5F173MF39
, 5F173MF40
