特許
J-GLOBAL ID：201503059947232808
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-225514
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088607
出願日： 2013年10月30日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：
【課題】ノイズの導入による制御ICの誤動作を防止し、貫通電流による高耐圧ICの破壊を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】高電圧で動作する高耐圧ICチップ5の裏側を絶縁性接着剤6でアイランド2に固着し、前記高電圧よりも低い電圧で動作する制御ICチップ7の裏側を導電性接着剤8で固着し、アイランド2をGNDリード端子1aにボンディングワイヤ10aで接続する。また、高耐圧ICチップ5および制御ICチップ7の両者の表側にグランドパッドを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高い電圧で駆動する高耐圧ICチップと、前記高耐圧ICチップを駆動する前記電圧より低い電圧で駆動する制御ICチップと、前記高耐圧ICチップと前記制御ICチップが共に接着剤を介して固着し、前記高耐圧ICチップおよび前記制御ICチップに共通の基準電位に接続される金属板と、を備える半導体装置において、
前記高耐圧ICチップの裏側は絶縁性接着剤を介して前記金属板に固着され、前記制御ICチップの裏側は導電性接着剤を介して前記金属板に固着され、前記高耐圧ICチップおよび前記制御ICチップの両者の表側に基準電位が印加される各電極パッドを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01L25/04 Z
, H01L27/04 H
5F038BE07
, 5F038BH02
, 5F038BH03
, 5F038BH15
, 5F038BH19
, 5F038EZ07
, 5F038EZ20
