特許
J-GLOBAL ID：201503072037527479
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
棚井 澄雄
, 松沼 泰史
, 小室 敏雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527988
特許番号：特許第5692947号
出願日： 2013年03月25日
要約：
【要約】半導体素子、例えばショットキーバリアダイオードにおける、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善する。
p型半導体部位14は、互いに不純物濃度が異なるp+型半導体部(第一濃度部)14aと、p-型半導体部(第二濃度部)14bとからなる。そして、p+型半導体部14aの一部に対して、金属部位13は、その側面13Sの一部とこれに連結する底面13Bの一部とが接している。また、p-型半導体部14bは、その側面14bSの少なくとも一部が、p+型半導体部14aの側面14aSと接している。
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の面を有し、第一導電型である半導体基板と、前記半導体基板内にあって、前記第1の面に隣接する第1の部分と、前記半導体基板上にあって、前記第1の面に隣接する第2の部分とを有し、前記第一導電型とは逆導電型の第二導電型であるガードリングと、前記半導体基板上にあって、前記第1の面に隣接し、前記第2の部分と電気的に接続されるようにして、前記半導体基板とショットキー接合された金属層と、を少なくとも備え、
前記金属層は鉛直方向の断面が矩形状であり、前記半導体基板の底面から前記金属層の底面までの厚みが前記半導体基板の底面から前記ガードリングの最上面までの厚みより小さく、前記ガードリングの前記第1の部分は、第1の領域と、前記第1の領域に連結した第2の領域とを含み、前記第1の領域は前記第2の領域よりも前記金属層に近く、前記第2の領域は前記第1の領域よりも前記半導体基板の鉛直方向の深さが大きいことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 E
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 E
, H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/86 301 M
