特許
J-GLOBAL ID：200903010677183005
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-138424
公開番号（公開出願番号）：特開2009-289824
出願日： 2008年05月27日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】 逆回復電流の局所的な集中を効果的に緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 縦型のダイオード100の半導体層10は、中心領域20と周辺領域18とに区画されている。中心領域20の半導体層10の表面にはアノード電極14が接している。周辺領域18の表面には絶縁膜12が接している。周辺領域18の半導体層10の表面に臨む範囲には、リング状の複数個のFLR領域8a、8b、8cが形成されている。最も内側に位置しているFLR領域8aは、アノード電極14と絶縁膜12の境界線19の内側と外側に跨る範囲に境界線19に沿って伸びている。半導体層10の表面には、絶縁膜12に接する範囲で高くアノード電極14に接する範囲で低い段差8sが形成されている。段差8sの近傍では、アノード電極14に向かう正孔の流れが分散される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層の表裏両面に一対の主電極が分かれて形成されている縦型の半導体装置であり、
中心領域において半導体層の表面に接している第1主電極と、
前記中心領域の外側を一巡する周辺領域において半導体層の表面に接している絶縁膜と、
半導体層の裏面に接している第2主電極と、
前記第1主電極と前記絶縁膜の境界線の内側と外側に跨る範囲を前記境界線に沿って伸びるとともに半導体層の表面に臨む範囲に形成されている第2導電型のリング状領域を備えており、
前記境界線の近傍の前記リング状領域の表面に、前記絶縁膜に接する範囲で高く、前記第1主電極に接する範囲で低い段差が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/91 C
, H01L29/06 301D
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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