特許

J-GLOBAL ID：201503074504721775

大面積高光学的特性型合成多結晶ダイヤモンド窓

発明者： イングリス ポール ニコラス ,  ブランドン ジョン ロバート ,  ドッドソン ジョセフ マイケル ,  モラート ティモシー ピーター
出願人/特許権者： エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド
代理人 (7件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  弟子丸 健 ,  井野 砂里 ,  松下 満 ,  倉澤 伊知郎 ,  渡邊 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-546488
公開番号（公開出願番号）：特表2015-504972
出願日： 2012年12月12日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：

多結晶化学気相成長(CVD)ダイヤモンドウェーハであって、125mm以上の最も長い直線寸法と、200μm以上の厚さと、少なくとも多結晶CVDダイヤモンドウェーハの中央領域について室温(公称298K)で測定された以下の特徴のうちの一方又は両方とを有し、中央領域は、円形であり、多結晶CVDダイヤモンドウェーハの中央箇所上に心出しされ且つ多結晶CVDダイヤモンドウェーハの最も長い直線寸法の直径を有し、当該特徴は、10.6μmで0.2cm-1以上の吸収係数及び145GHzで2×10-4以下の誘電損係数tanδであることを特徴とする多結晶CVDダイヤモンドウェーハ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多結晶化学気相成長(CVD)ダイヤモンドウェーハであって、 125mm以上の最も長い直線寸法と、 200μm以上の厚さと、 少なくとも前記多結晶CVDダイヤモンドウェーハの中央領域について室温(公称298K)で測定された以下の特徴のうちの一方又は両方とを有し、前記中央領域は、円形であり、前記多結晶CVDダイヤモンドウェーハの中央箇所上に心出しされ且つ前記多結晶CVDダイヤモンドウェーハの前記最も長い直線寸法の少なくとも70%の直径を有し、当該特徴は、 10.6μmで0.2cm-1以下の吸収係数、及び 145GHzで2×10-4以下の誘電損係数tanδである、多結晶CVDダイヤモンドウェーハ。

IPC (2件)：

C23C 16/27 ,  C23C 16/511

FI (2件)：

C23C16/27 ,  C23C16/511

Fターム (18件)：

4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB03 ,  4K030DA08 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030GA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030LA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ダイヤモンド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-188721   出願人：デビアスインダストリアルダイアモンドデイビジヨン(プロプライエタリイ)リミテツド
• 成膜又はエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-193558   出願人：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド多結晶基板の製造方法及びダイヤモンド多結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-094454   出願人：住友電気工業株式会社
• 光学品質のダイヤモンド材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-553030   出願人：エレメントシックスリミテッド, ヘルマンフィリップゴットフリート, ジェフリーアランスカーズブルック, ダニエルジェイムズトウィッチェン, エフェルトピエテルホウマン, ウィルヘルムスゲルトルーダマリアネリセン, アンドリュージョンホワイトヘッド, クライブエドワードホール, フィリップモーリスマルティノー
• 大面積高光学的特性型合成多結晶ダイヤモンド窓
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-546518   出願人：エレメントシックステクノロジーズリミテッド
• 合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-545201   出願人：エレメントシックスリミテッド

引用文献：

審査官引用 (2件)

• CVD Diamond, 2002
• Scaling the microwave plasma-assisted chemical vapor diamond deposition process to 150-200 mm substr