特許
J-GLOBAL ID:201403002922573911

合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  弟子丸 健 ,  井野 砂里 ,  松下 満 ,  倉澤 伊知郎 ,  渡邊 誠
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-545201
公開番号(公開出願番号):特表2014-507554
出願日: 2011年12月14日
公開日(公表日): 2014年03月27日
要約:
化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、マイクロ波プラズマ反応器は、プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に設けられていて使用中に合成ダイヤモンド材料を析出させるべき基板を支持する基板ホルダと、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、プロセスガスをプラズマチャンバ中に送り込み、そしてプロセスガスをプラズマチャンバから除去するガス流システムとを含み、マイクロ波発生器からのマイクロ波をプラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体は、1つ又は数個の区分の状態で形成された環状誘電体窓と、中央内側導体及び外側導体を有していて、マイクロ波を環状誘電体窓に送る同軸導波管と、環状形態で設けられた複数個の孔を有する導波管プレートとを含み、複数本のアームが孔相互間に延び、各孔は、マイクロ波をプラズマチャンバに向かって結合する導波管を形成していることを特徴とするマイクロ波プラズマ反応器。【選択図】図4
請求項(抜粋):
化学気相成長により合成ダイヤモンド材料を製造するマイクロ波プラズマ反応器であって、前記マイクロ波プラズマ反応器は、 プラズマチャンバと、 前記プラズマチャンバ内に設けられていて使用中に前記合成ダイヤモンド材料を析出させるべき基板を支持する基板ホルダと、 マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込むマイクロ波結合構造体と、 プロセスガスを前記プラズマチャンバ中に送り込み、そして前記プロセスガスを前記プラズマチャンバから除去するガス流システムとを含み、 前記マイクロ波発生器からのマイクロ波を前記プラズマチャンバ中に送り込む前記マイクロ波結合構造体は、 1つ又は数個の区分の状態で形成された環状誘電体窓と、 中央内側導体及び外側導体を有していて、マイクロ波を前記環状誘電体窓に送る同軸導波管と、 環状形態で設けられた複数個の孔を有する導波管プレートとを含み、複数本のアームが前記孔相互間に延び、各孔は、マイクロ波を前記プラズマチャンバに向かって結合する導波管を形成している、マイクロ波プラズマ反応器。
IPC (5件):
C23C 16/511 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/27 ,  C30B 29/04 ,  C01B 31/06
FI (5件):
C23C16/511 ,  H05H1/46 B ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 A ,  C01B31/06 A
Fターム (34件):
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TE02 ,  4G077TG06 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA23 ,  4G146DA40 ,  4G146DA41 ,  4G146DA46 ,  4G146DA47 ,  4G146DA48 ,  4K030BA28 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA18 ,  4K030KA09 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46
引用特許:
審査官引用 (8件)
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