特許
J-GLOBAL ID：201503076152364724
窒化アルミニウム結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
小池 晃
, 伊賀 誠司
, 藤井 稔也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-156766
公開番号（公開出願番号）：特開2015-024940
出願日： 2013年07月29日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
要約：
【課題】Ga-Al合金融液を用いて種結晶基板の窒化サファイア基板上にAlN結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法において、安定して良質な窒化アルミニウム結晶を得る。【解決手段】種結晶基板3に極表面を酸化処理した窒化サファイア基板を用い、Ga-Al合金融液5に窒素を含有するガスを導入し、Ga-Al合金融液5中の種結晶基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Ga-Al合金融液中の種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる液相成長法による窒化アルミニウム結晶の製造方法において、
上記種結晶基板として窒化サファイア基板を用い、該窒化サファイア基板の極表面を酸化処理する酸化処理工程と、
上記Ga-Al合金融液に上記酸化処理した窒化サファイア基板を浸漬させ、該Ga-Al合金融液に窒素を含有するガスを導入して該窒化サファイア基板に窒化アルミニウム結晶を成長させる結晶成長工程とを有することを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EA06
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077EE06
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA12
, 4G077QA34
, 4G077QA74
審査官引用 (3件)
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窒化アルミニウム単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-221168
出願人：住友金属工業株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2011-050409
出願人：国立大学法人東北大学, 国立大学法人東京大学, 株式会社トクヤマ, 住友金属鉱山株式会社
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窒化アルミニウム結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2012-038431
出願人：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学
引用文献：
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