特許
J-GLOBAL ID：201503076377765272

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者：
山元 良高

山元 良高 について

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田中 哲弘

田中 哲弘 について

, 
竹内 敏彦

竹内 敏彦 について

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山根 靖正

山根 靖正 について

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井上 卓之

井上 卓之 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-139489
公開番号（公開出願番号）：特開2015-035597
出願日： 2014年07月07日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
要約：
【課題】しきい値が適正化された半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】半導体と、半導体に電気的に接するソース電極あるいはドレイン電極と、半導体を間に挟んで設けられる第1のゲート電極と第2のゲート電極と、第1のゲート電極と半導体との間に設けられる電子捕獲層と、第2のゲート電極と半導体との間に設けられるゲート絶縁層を有する半導体装置において、加熱しつつ、第1のゲート電極の電位をソース電極やドレイン電極よりも高くし、かつ、1秒以上保持することで、電子捕獲層に電子を捕獲させることで、しきい値を増大させ、Icutを低減させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体と、前記第1の半導体に電気的に接する電極と、 前記第1の半導体を間に挟んで設けられる第1のゲート電極と第2のゲート電極と、 前記第1のゲート電極と前記第1の半導体との間に設けられる電子捕獲層と、 前記第2のゲート電極と前記第1の半導体との間に設けられるゲート絶縁層を有する半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108
FI (9件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617L ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 321
Fターム (138件)：
5F048AB01 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BB14 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG11 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB08 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA60 ,  5F083LA00 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA15 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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