特許
J-GLOBAL ID：201503078141604220

MgB2超伝導体の製造方法およびMgB2超伝導体

発明者：
熊倉 浩明

熊倉 浩明 について

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松本 明善

松本 明善 について

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イェ シュジュン

イェ シュジュン について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-259711
公開番号（公開出願番号）：特開2015-118748
出願日： 2013年12月17日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：
【課題】MgB2超伝導線材について、高い臨界電流密度(Jc)特性ならびに臨界電流密度(Jc)のバラツキの小さなMgB2超伝導線材を提供すること。【解決手段】本発明のMgB2超伝導体の製造方法は、Mg粉末またはMgH2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB2超伝導体の製造方法において、前記B粉末に多環芳香族炭化水素を添加すると共に、この添加時には前記多環芳香族炭化水素の融点以上に加熱して、前記B粉末の表面を前記多環芳香族炭化水素で覆う工程と、前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記B粉末を、前記Mg粉末またはMgH2粉末と混合する工程、あるいは前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記B粉末を、Mg棒と組み合わせることを有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Mg粉末またはMgH2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB2超伝導体の製造方法において、 前記B粉末に多環芳香族炭化水素を添加すると共に、この添加時には前記多環芳香族炭化水素の融点以上に加熱して、前記B粉末の表面を前記多環芳香族炭化水素で覆う工程と、 前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記B粉末を、前記Mg粉末またはMgH2粉末と混合する工程と、 を有することを特徴とするMgB2超伝導体の製造方法。
IPC (6件)：
H01B 13/00 ,  H01B 12/04 ,  H01B 12/10 ,  C01B 35/04 ,  C01G 1/00 ,  H01F 6/06
FI (6件)：
H01B13/00 565Z ,  H01B12/04 ,  H01B12/10 ,  C01B35/04 C ,  C01G1/00 S ,  H01F5/08 N
Fターム (18件)：
4G047JA02 ,  4G047JA05 ,  4G047JC16 ,  4G047KA01 ,  4G047KB02 ,  4G047KB04 ,  4G047KB16 ,  4G047KB17 ,  5G321AA12 ,  5G321AA98 ,  5G321BA01 ,  5G321BA02 ,  5G321BA03 ,  5G321CA02 ,  5G321CA08 ,  5G321CA09 ,  5G321DD01 ,  5G321DD99
引用特許：
出願人引用 (3件)

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