半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-088009
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191856
特許番号：特許第5675886号
出願日： 2013年04月19日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チャネル形成領域を有し、かつ、酸化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層の一方の面に接して設けられた第1乃至第3の電極と、前記半導体層の他方の面の側に設けられたゲート電極と、を有し、前記半導体層は、ドーピングされておらず、前記半導体層は、ドナー又はアクセプタに由来するキャリア濃度が1012/cm3以下であり、前記ゲート電極は、前記第1の電極と前記第2の電極の間の領域の少なくとも一部と重なり、かつ、前記第2の電極と前記第3の電極の間の領域とは重ならず、前記ゲート電極は、前記第1の電極と前記第2の電極とは重ならず、前記ゲート電極は、前記第1の電極から10nm以上100nm以下の距離にあり、前記ゲート電極は、前記第2の電極から10nm以上100nm以下の距離にあり、前記第2の電極と、前記第3の電極間の前記半導体層は、抵抗素子としての機能を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , G02F 1/1368 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 29/423 ( 200 6.01) , H01L 29/49 ( 200 6.01)

FI (14件)：

H01L 29/78 617 A , G02F 1/136 , H01L 21/28 301 B , H01L 21/28 301 R , H01L 27/04 P , H01L 27/06 102 A , H01L 27/08 102 B , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 622 , H01L 29/58 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325370 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
薄膜トランジスタ回路およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-293526 出願人：シャープ株式会社
集積回路用抵抗負荷及びその作成方法、及びSRAM
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-525102 出願人：ペラグリンセミコンダクターコーポレイション

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