特許
J-GLOBAL ID：201503079337452637
半導体装置、モジュール及び電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-090213
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153219
特許番号：特許第5690862号
出願日： 2013年04月23日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体上方の第1の導電層と、
前記第1の導電層上方の第2の導電層と、
前記第2の導電層上方の絶縁層と、
前記絶縁層上方の第3の導電層と、を有し、
前記第1の導電層は、上面が前記第2の導電層と重ならない第1の領域を有し、
前記第3の導電層は、前記第1の領域と接する第2の領域を有し、
前記第1の導電層の下面と前記第1の導電層の側面との間の角度は、前記第2の導電層の下面と前記第2の導電層の側面との間の角度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/08 ( 200 6.01)
, H05B 33/28 ( 200 6.01)
, H05B 33/22 ( 200 6.01)
, H05B 33/06 ( 200 6.01)
H01L 21/90 A
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 612 Z
, H05B 33/14 A
, H05B 33/08
, H05B 33/28
, H05B 33/22 Z
, H05B 33/06
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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