特許
J-GLOBAL ID：201503080345955778
炭化珪素半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-189578
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056543
出願日： 2013年09月12日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：
【課題】活性領域の減少を避けつつトランジスタ素子とショットキーバリアダイオードとを集積化することが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置(1)は、炭化珪素層(10)と、ゲート絶縁膜(15)と、第1のコンタクトホール(GH1)および開口部(30a)を通じて、ドリフト層(12)にショットキー接合されたショットキー電極(25)と、ゲート絶縁膜(15)上に配置されたゲート電極(27)と、ゲート絶縁膜(15)、ゲート電極(27)およびショットキー電極(25)を覆うように配置されて、ゲート電極(27)を露出させるための第2のコンタクトホールが形成された絶縁層(70)と、平面視においてショットキー電極(25)と重なるように、絶縁層(70)上に配置されて、第2のコンタクトホールを通じてゲート電極(27)と電気的に接続されたゲートパッド電極(59)とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体装置であって、
第1の主面と、前記第1の主面に対して反対側に位置する第2の主面とを有する炭化珪素層を備え、
前記炭化珪素層は、
第1の導電型を有し、前記炭化珪素層の前記第1の主面を規定するドリフト層と、
前記ドリフト層に設けられて、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有し、前記ドリフト層を露出させる少なくとも1つの開口部が設けられたボディ領域とを含み、
前記炭化珪素半導体装置は、
前記炭化珪素層の前記第1の主面上に配置されて、前記開口部上に前記第1の主面を露出させるための第1のコンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1のコンタクトホールおよび前記開口部を通じて、前記ドリフト層にショットキー接合されたショットキー電極と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極および前記ショットキー電極を覆うように配置されて、前記ゲート電極を露出させるための第2のコンタクトホールが形成された絶縁層と、
平面視において前記ショットキー電極と重なるように、前記絶縁層上に配置されて、前記第2のコンタクトホールを通じて前記ゲート電極と電気的に接続されたゲートパッド電極とを備える、炭化珪素半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/739
, H01L 27/04
, H01L 21/336
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/41
, H01L 21/28
, H01L 21/302
H01L29/78 652N
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652Q
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 652K
, H01L29/48 D
, H01L29/44 P
, H01L21/28 301R
, H01L21/28 301B
, H01L21/302 201A
4M104AA03
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB05
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104CC05
, 4M104EE03
, 4M104FF11
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 5F004AA02
, 5F004CA04
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB19
, 5F004EA34
