炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107853
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229570
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】大きな電界が印加された場合においても、ゲート絶縁膜の破壊を防止し得る炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基体の第1主面上に形成されたP型ベース領域3と、このベース領域3内の複数箇所に形成されたN+型ソース領域4と、炭化珪素半導体基体の一部に形成されたN型ドレイン領域と、N+型ソース領域4、及びP型ベース領域3が形成された、炭化珪素半導体基体上の一部分を覆うゲート絶縁膜6、及び該ゲート絶縁膜6を介して形成されたゲート電極7と、を有し、ゲート絶縁膜6の、炭化珪素半導体を覆わない部分を介して、ドレイン領域との間でショットキーダイオードを形成する金属10を取り付け、更に、金属10、及びN+型ソース領域4と接するソース電極8を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタであって、第1導電型の炭化珪素半導体基体の第1主面上に形成された第2導電型のベース領域と、該ベース領域内の複数箇所に形成された第1導電型のソース領域と、前記炭化珪素半導体基体の一部に形成された第1導電型のドレイン領域と、前記ソース領域、及びベース領域が形成された前記炭化珪素半導体基体上の一部分を覆うゲート絶縁膜、及び該ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有し、前記ゲート絶縁膜の、前記炭化珪素半導体を覆わない部分を介して、前記ドレイン領域との間でショットキーダイオードを形成する材料を取り付けたことを特徴とする炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 657 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 657 B , H01L 29/48 D

Fターム (9件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 4M104GG09

引用特許：

出願人引用 (4件)

MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-258599 出願人：日本電信電話株式会社
炭化ケイ素トレンチMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010272 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-167327 出願人：トヨタ自動車株式会社

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審査官引用 (4件)

MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-258599 出願人：日本電信電話株式会社
炭化ケイ素トレンチMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010272 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-167327 出願人：トヨタ自動車株式会社

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