特許
J-GLOBAL ID：201503080947658510
中性子制御装置及び中性子照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
酒井 宏明
, 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-185742
公開番号（公開出願番号）：特開2015-052540
出願日： 2013年09月06日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：
【課題】 熱外中性子が多い中性子束を得ること。【解決手段】 この中性子照射装置100は、陽子ビームを導入する導入管1と、当該導入管1の下端に設けたターゲット構造2と、当該ターゲット構造2の下方であって当該ターゲット構造2で発生した中性子の照射経路に配置したフッ化アルミニウム層3と、当該フッ化アルミニウム層3の下に積層した重水層4とを有する。フッ化アルミニウム層3は、熱外中性子が増加する厚さに設定する。フッ化アルミニウム層3のみでは、厚さが増しすぎるので、重水を設置する。重水により、中性子は素早く減速され、厚みを増やすことなく、熱外中性子を増やすことができる。このフッ化アルミニウム層3及び重水層4の組み合わせによれば、高速中性子のみを減衰して熱外中性子を増加させ、熱中性子を増やさないようにすることができる。この結果、熱外中性子が多い中性子束を得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
陽子ビームを照射したターゲットで生じる中性子の照射経路に、
フッ化アルミニウム、フッ化マグネシウム又はフルエンタルを含むフッ化層と、
重水素を含む重水素層と、
を積層配置したことを特徴とする中性子制御装置。
IPC (7件)：
G21K 3/00
, H05H 3/06
, H05H 6/00
, G21K 5/02
, G21K 5/08
, G21K 1/00
, A61N 5/10
G21K3/00 Y
, H05H3/06
, H05H6/00
, G21K5/02 N
, G21K5/08 N
, G21K1/00 N
, G21K3/00 S
, A61N5/10 H
2G085AA04
, 2G085AA06
, 2G085BA02
, 2G085BA16
, 2G085BA17
, 2G085BE07
, 2G085EA01
, 4C082AC07
, 4C082AE01
