特許
J-GLOBAL ID：201503081225436978

太陽電池素子の製造方法

発明者：
飯田 博紀

飯田 博紀 について

, 
古茂田 学

古茂田 学 について

, 
大場 健二

大場 健二 について

, 
本田 侑也

本田 侑也 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-136511
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012136
出願日： 2013年06月28日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：
【課題】基板面内に反射率低減のために均一で好適なテクスチャ形状を形成することのできる太陽電池素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一形態に係る太陽電池素子の製造方法は、ワイヤソー装置のワイヤを用いた半導体ブロックの切断によって半導体基板を作製するスライス工程と、半導体基板1の周縁部における最も薄い第1端部を最も厚い第2端部よりも多く半導体基板1の表層部を除去するエッチングを施して、半導体基板1の表面にテクスチャを形成するテクスチャ形成工程と、を備えている。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
ワイヤソー装置のワイヤを用いた半導体ブロックの切断によって半導体基板を作製するスライス工程と、 前記半導体基板の周縁部における最も薄い第1端部を最も厚い第2端部よりも多く前記半導体基板の表層部を除去するエッチングを施して、前記半導体基板の表面にテクスチャを形成するテクスチャ形成工程と、を備えている太陽電池素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L31/04 H ,  H01L21/306 B
Fターム (10件)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB03 ,  5F043DD13 ,  5F043EE01 ,  5F043EE10 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F151AA02 ,  5F151GA15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM