特許
J-GLOBAL ID:201503090417682190
水蒸気処理を使用して基板から材料層を除去する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-541148
公開番号(公開出願番号):特表2015-504239
出願日: 2012年11月06日
公開日(公表日): 2015年02月05日
要約:
本発明の実施形態は一般に、さまざまな材料層がその上に配置された基板表面を水蒸気プラズマ処理を使用して除去し、かつ/または洗浄する方法に関する。一実施形態では、基板の表面を洗浄する方法が、基板を処理チャンバ内に配置することを含み、この基板が、基板上に配置され、基板上に開口を形成した誘電体層を有し、この方法がさらに、基板上に配置された誘電体層を、チャンバ内に供給された水蒸気にさらし、水蒸気中にプラズマを形成すること、チャンバ内のプロセス圧力を約1トルから約120トルの間に維持すること、および基板上に形成されたコンタクト構造体を洗浄することを含む。
請求項(抜粋):
基板の表面を洗浄する方法であって、
コンタクト構造体を有する基板を処理チャンバ内に配置することであって、前記基板が、前記基板上に配置され、前記基板上に開口を形成する誘電体層を有する、前記配置すること、
前記基板上に配置された前記誘電体層を、前記チャンバ内に供給された水蒸気にさらし、水蒸気中にプラズマを形成すること、
前記チャンバ内のプロセス圧力を約1トルから約120トルの間に維持すること、および
前記基板上に形成された前記コンタクト構造体を洗浄すること
を含む方法。
IPC (2件):
H01L 21/304
, H01L 21/306
FI (5件):
H01L21/304 645C
, H01L21/302 106
, H01L21/302 102
, H01L21/304 645Z
, H01L21/304 648G
Fターム (55件):
5F004AA14
, 5F004BA04
, 5F004BA06
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004EA38
, 5F004EB01
, 5F004EB08
, 5F157AA09
, 5F157AA29
, 5F157AA32
, 5F157AA36
, 5F157AA42
, 5F157AA43
, 5F157AA63
, 5F157AA65
, 5F157AA77
, 5F157AA93
, 5F157AA94
, 5F157AB02
, 5F157AB13
, 5F157AB33
, 5F157AC01
, 5F157BB64
, 5F157BG06
, 5F157BG13
, 5F157BG14
, 5F157BG15
, 5F157BG23
, 5F157BG33
, 5F157BG35
, 5F157BG39
, 5F157BG85
, 5F157BG86
, 5F157BH18
, 5F157BH19
, 5F157BH21
, 5F157CA05
, 5F157CA25
, 5F157CC11
, 5F157CE10
, 5F157CE33
, 5F157CE59
, 5F157CE62
, 5F157CF34
, 5F157CF42
, 5F157DB15
, 5F157DB18
引用特許:
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